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四合院里的大国宗师
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第379章 pmos(第1页)

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    第379章p0s
    不是我不一次性说完,而是我每说一句话,你都要打断我表一点儿什么意见,利诺奇卡心想。
    “煤油?煤油的热值是要比酒精高,啊哈,难道这就是原因?”
    部长同志这才有些释然。
    并不是他一定要找点什么原因才能让自己高兴,而是这些情况单独看起来都不算什么,可是全部组合到一起,就多少有一些让人惊讶了。
    更大的射程,更大的战斗部,同等的尺寸和重量,这说明对方一定有什么自己不知道的技术。
    “部长同志,我们要不要试一试把p15的酒精换成煤油?”
    p15,就是544导弹。
    “噢,不!基层的达瓦里氏们会抱怨的,至少现在的p15不能换!他们已经习惯维护这种导弹了,不是么?”
    不得不说,作为部长,还是非常体恤一线基层的同志的。
    咱们正毛旗的兵,就爱维护酒精燃料!
    “利诺奇卡同志,如果那边还有什么新的消息,一定要早一点告诉我。顺便告诉卢比扬卡的同志,他们需要付出更多努力了!”部长同志总是觉得其中有哪里不对,但是又不知道哪里不对。
    ——
    老毛子的纠结,高振东并不知道,他正在纠结自己的事情。
    其实也不是纠结,只是在繁杂的工艺中选出一条合适的路来。
    虽然已经选定了0s技术,可是0s技术也有p0sp沟道0s、n0sn沟道0s、bsp;这些技术的每一道工序,又有不同的选择。
    就好像搭积木,要搭出一个公园来,有不同的搭法,正所谓杀猪杀屁股,各有各的杀法。
    不过在0s的种类上,高振东倒是没什么好纠结的,p0s直接上就行了,作为最早的0s技术,自然是有他的优点的。
    猜猜它为什么最早?简单啊!
    p0s只需要五次光刻就能搞定。
    p区光刻、栅光刻、接触光刻、金属光刻、压焊块光刻,并在每次光刻中间加上不同的淀积或者氧化工序。
    分别形成p区、栅极、对外接触孔、芯片内布线和封装时用的引出焊点。
    而且,其中掩膜需要严格对准套刻的,只有第二次栅光刻,其他时候的对准要求都不是那么高,这就让手上的技术条件有限,捉襟见肘的高振东感到很舒服。
    抛开封装,只是从硅片到布满成品芯片核心die的半成品,只需要12步工艺,就这,还包括准备硅片那一步工艺。
    甚至不想要钝化那一步的话,只要前4次光刻就足够了,与之相应的工艺也减少到了10步。
    这是真的简单,而且对材料的要求也不高。
    只需要考虑引入三种元素。

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