第379章 pmos（第1页）

    c0，更新快，无弹窗！
    第379章p0s
    不是我不一次性说完，而是我每说一句话，你都要打断我表一点儿什么意见，利诺奇卡心想。
    “煤油？煤油的热值是要比酒精高，啊哈，难道这就是原因？”
    部长同志这才有些释然。
    并不是他一定要找点什么原因才能让自己高兴，而是这些情况单独看起来都不算什么，可是全部组合到一起，就多少有一些让人惊讶了。
    更大的射程，更大的战斗部，同等的尺寸和重量，这说明对方一定有什么自己不知道的技术。
    “部长同志，我们要不要试一试把p15的酒精换成煤油？”
    p15，就是544导弹。
    “噢，不！基层的达瓦里氏们会抱怨的，至少现在的p15不能换！他们已经习惯维护这种导弹了，不是么？”
    不得不说，作为部长，还是非常体恤一线基层的同志的。
    咱们正毛旗的兵，就爱维护酒精燃料！
    “利诺奇卡同志，如果那边还有什么新的消息，一定要早一点告诉我。顺便告诉卢比扬卡的同志，他们需要付出更多努力了！”部长同志总是觉得其中有哪里不对，但是又不知道哪里不对。
    ——
    老毛子的纠结，高振东并不知道，他正在纠结自己的事情。
    其实也不是纠结，只是在繁杂的工艺中选出一条合适的路来。
    虽然已经选定了0s技术，可是0s技术也有p0sp沟道0s、n0sn沟道0s、bsp;这些技术的每一道工序，又有不同的选择。
    就好像搭积木，要搭出一个公园来，有不同的搭法，正所谓杀猪杀屁股，各有各的杀法。
    不过在0s的种类上，高振东倒是没什么好纠结的，p0s直接上就行了，作为最早的0s技术，自然是有他的优点的。
    猜猜它为什么最早？简单啊！
    p0s只需要五次光刻就能搞定。
    p区光刻、栅光刻、接触光刻、金属光刻、压焊块光刻，并在每次光刻中间加上不同的淀积或者氧化工序。
    分别形成p区、栅极、对外接触孔、芯片内布线和封装时用的引出焊点。
    而且，其中掩膜需要严格对准套刻的，只有第二次栅光刻，其他时候的对准要求都不是那么高，这就让手上的技术条件有限，捉襟见肘的高振东感到很舒服。
    抛开封装，只是从硅片到布满成品芯片核心die的半成品，只需要12步工艺，就这，还包括准备硅片那一步工艺。
    甚至不想要钝化那一步的话，只要前4次光刻就足够了，与之相应的工艺也减少到了10步。
    这是真的简单，而且对材料的要求也不高。
    只需要考虑引入三种元素。

一秒记住新域名 https://www.zhenranwen.com

请勿开启浏览器阅读模式，否则将导致章节内容缺失及无法阅读下一章。